三星的下一款旗舰智能手机芯片组是 Exynos 2600，它可能会用于 Galaxy S26 系列。据传该芯片是使用三星代工厂的 2nm 制造工艺制造的。考虑到三星可能会在 2026 年初推出下一代 Galaxy S 系列之前宣布这一消息，并且其他芯片组制造商在其下一代旗舰芯片中都坚持使用台积电的 3nm 工艺，Exynos 2600 可能是第一款投放市场的 2nm 芯片。好吧，这不再是猜测了。三星宣布 Exynos 2600 将成为首款采用三星代工 2nm GAA 制造工艺
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三星 Exynos 2600 2nm 旗舰智能手机芯片
随着英伟达成为全球第一支站上4万亿美元市值的企业，人们纷纷预估哪家企业会乘借AI的东风成为第二支迈上4万亿台阶，虽然目前还没有看到目标，但是英伟达成功最大的合作伙伴却可能成为下一家站上3万亿美元市值的公司。台积电（纽约证券交易所代码：TSM）目前估值约为 1.25 万亿美元，是全球第九大公司。通常，投资者不会期望这些大公司能够产生出色的增长，因为企业规模越大，增长就越困难。然而，台积电提出了巨大的增长预测，以及一项可能推动股价大幅上涨的新技术。从今天的 1.25 万亿美元估值上升到 3 万亿美元估值需要
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2nm 台积电
报道称，日本新创晶圆代工厂商Rapidus的IIM-1厂区已经展开对采用2nm环绕栅极（GAA）晶体管技术的测试晶圆进行原型制作，并计划在2027年量产。为了支持早期客户，Rapidus正在准备于2026年第一季发表其制程开发套件（PDK）的第一个版本。根据最近披露的数据，2023年9月，Rapidus在北海道千岁地区开始建设其首座晶圆厂IIM-1；2024年4月，晶圆厂的框架、洁净室和基础设备就已完工；2024年12月，引进了ASML的EUV光刻机设备；2025年4月，启动了中试线，随后7月成功完成了第
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2nm 制程 晶圆 三星 台积电
7月18日，第五届RISC-V中国峰会在上海进入分论坛环节。作为未来电子产业最庞大的应用范畴之一，人工智能是不可回避的话题。人工智能的飞速发展，正以年均超过100%的算力需求增长驱动底层架构的革新，“开放、灵活、可定制”的RISC-V已成为构建自主AI算力基石的战略支点。人工智能分论坛邀请各方企业探讨RISC-V架构如何利用其开源、开放、可扩展的特性，实现AI计算架构的革新，以及RISC-V架构在AI软硬件的最新进展和应用落地情况。 Arteris首席架构师栾淏详细介绍了该公司在可配置高性能互连
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RISC-V 中国峰会 Arteris AI/ML ADAS SoC
7月18日，第五届RISC-V中国峰会在上海进入分论坛环节。作为未来电子产业最庞大的应用范畴之一，人工智能是不可回避的话题。人工智能的飞速发展，正以年均超过100%的算力需求增长驱动底层架构的革新，“开放、灵活、可定制”的RISC-V已成为构建自主AI算力基石的战略支点。人工智能分论坛邀请各方企业探讨RISC-V架构如何利用其开源、开放、可扩展的特性，实现AI计算架构的革新，以及RISC-V架构在AI软硬件的最新进展和应用落地情况。 作为RISC－V基金会创始会员之一，晶心科技率先采用RISC－
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RISC-V 中国峰会 晶心科技 AI/ML SoC 架构创新
尽管面临大规模裁员，英特尔在其下一代旗舰处理器和 18A 良率方面显示出积极的进展。据 TechPowerUp 和 SemiAccurate 报道，英特尔的“诺瓦湖-S”客户端 CPU 据报道已在台湾台积电的 2 纳米工厂完成量产报道显示，英特尔几周前在台积电的 2 纳米工艺上完成了一个计算单元的量产，表明诺瓦湖-S 将可能结合英特尔 18A 和台积电的 N2 技术用于其计算单元。据报道，这种做法为英特尔提供了一种备用方案，以防 18A 面临延迟或需求超过其内部产能
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英特尔 CPU 2nm
人类正在目睹一场如此极端的技术革命，其全部规模可能超出我们的智力范围。生成式 AI （GenAI） 的性能每六个月翻一番 [1]，超过了业界所说的超级摩尔定律的摩尔定律。一些云 AI 芯片制造商预计未来十年每年的性能将翻倍或翻三倍 [2]。在这个由三部分组成的博客系列中，我们将探讨当今的半导体格局和创新芯片制造商战略，在第二部分深入探讨未来的重大挑战，并在第三部分通过研究推动 AI 未来的新兴变化和技术来结束。按照这种爆炸性的速度，专家预测通用人工智能 （AGI） 将在 2030 年左右实现 [3][4]
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先进封装正在成为高端手机市场的关键差异化因素，与片上系统相比，它实现了更高的性能、更大的灵活性和更快的上市时间。单片 SoC 可能仍将是低端和中端移动设备的首选技术，因为它们的外形尺寸、经过验证的记录和较低的成本。但多晶片组件提供了更大的灵活性，这对于 AI 推理和跟上 AI 模型和通信标准的快速变化至关重要。最终，OEM 和芯片制造商必须决定适应设计周期变化的最佳方式，以及瞄准哪些细分市场。Synopsys 移动、汽车和消费类 IP 产品管理执行董事兼 MIPI 联盟主席 Hezi Saar
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华为下一代旗舰智能手机 Mate 80 预计将在第四季度发布，所有人的目光都聚焦于它将搭载的处理器。但根据 Wccftech 和中国媒体 IC 智能的消息，该设备传闻将配备麒麟 9030 芯片，可能延续其前代产品麒麟 9020 所使用的 7nm 工艺。据报道，Buzz 称麒麟 9030 芯片性能将提升 20%，但不确定其与哪款早期芯片进行了对比。Wccftech 指出，如果它仍然采用 7 纳米工艺，那么这样的提升在没有升级光刻技术的情况下将是一个显著的飞跃。根据华为中央报道，
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华为 麒麟 SoC Mate 80
根据韩国媒体 Business Post 的报道，三星电子似乎接近确保高通成为其下一代 2nm 代工工艺的第一个主要客户。这一发展可能标志着三星朝着重振苦苦挣扎的合同芯片制造业务迈出了重要一步，该业务一直面临持续的良率问题，并失去了台积电的关键客户。据报道，高通正在使用三星的 2nm 技术对多款芯片进行量产测试，包括其即将推出的 Snapdragon 8 Elite 2 移动处理器的高级版本。这款代号为“Kaanapali”的芯片将有两种变体。基本版本预计将由台积电使用其 3nm 工艺
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据外媒Business Post报道，三星计划在2026年推出的Galaxy S26系列旗舰智能手机，除了搭载基于自家2nm制程代工的Exynos 2600芯片外，还将采用高通新一代骁龙8系列旗舰芯片，可能命名为Snapdragon 8 Elite Gen 2。值得注意的是，这款高通芯片将不再由台积电独家使用N3P制程代工，而是部分交由三星2nm制程代工，专为三星Galaxy系列设备定制。报道显示，高通的下一代芯片策略将有重大调整，计划为新一代骁龙旗舰手机芯片开发两个版本。一个版本采用台积电3nm制程，供
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根据韩国媒体 Business Post 的报道，三星电子似乎即将获得高通作为其下一代 2 纳米晶圆代工工艺的首个主要客户。这一发展可能标志着三星苦苦挣扎的合同芯片制造业务复苏的重要一步，该业务一直面临持续的良率问题和关键客户流失给台积电的情况。据报道，高通正在使用三星的 2 纳米技术对数款芯片进行大规模量产测试，包括其即将推出的高端版骁龙 8 Elite 2 移动处理器。这款芯片的代号为“Kaanapali”，将提供两种变体。基础版本预计将由台积电使用其 3 纳米工艺生产，而高端版“Kaanapali
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三星 2nm 晶圆代工
据报道，随着主要竞争对手台积电和英特尔的目标是在 2025 年下半年实现 2nm 和 18A 的量产，三星也在调整其业务战略。据 ZDNet 称，它现在专注于提高和优化其当前先进节点的良率，尤其是 2nm 和 4nm。值得注意的是，虽然没有给出修改后的时间表，但该报告表明，三星的 1.4nm 生产现在不太可能在 2028 年甚至 2029 年之前开始。据 ZDNet 称，该更新是在 6 月初的三星“SAFE（三星高级代工生态系统）论坛 2025”期间发布的。据报道，在此次活动中，三星透
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三星 2nm 4nm 1.4nm
智能手机处理器将要迈入新世代，研调机构Counterpoint指出，随着生成式AI手机快速普及，对高效能与低功耗的需求水涨船高，至2026年全球将有约三分之一智慧型手机SoC采用3纳米或2纳米先进制程节点。另一方面，苹果全新基础模型框架将允许第三方开发者允许存取苹果所内建的LLM，在App中整合苹果AI，外界解读是扩大苹果AI生态系的重要进展，安卓阵营包括联发科（2454）、高通严阵以待。今年第一季手机SoC（系统单晶片）市场，联发科以36%市占领先高通28%，苹果则以17%排名第三; Counterpo
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手机 SoC 联发科
市场传言越来越多，称三星正在积极将资源转向 2 纳米开发，计划明年在其德克萨斯州工厂推出下一代工艺，可能试图超越台积电。然而，据半导体行业内的消息人士称， 商业时报报道，三星当前的 3 纳米 GAAFET 技术大致与竞争对手的 4 纳米鳍式场效应晶体管节点相当，这引发了对其即将到来的 2 纳米工艺可能仍不及台积电最强大的 3 纳米鳍式场效应晶体管一代的担忧。同时，台积电继续扩展其 3 纳米工艺系列，包括 N3X、N3C 和 N3A 等不同应用变体。该报告指出，这些节点预计将仍然是主要客户的首选。
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三星 台积电 2nm 制程工艺
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